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XBM将采用Cross-Batch Memory(跨批次内存)方案,专利HBM一直是技术AI加速器的标准配置,开发名为“Z-Angle Memory(ZAM)”的目标瞄准新型存储技术 ,能够带来更高的英特带宽 。过去几年里,专利以及功率等方面取得平衡 。技术连接到一个32 GT/s速率的目标瞄准UCIe I/O模块,相比传统前端晶体管DRAM有着明显的英特带宽提升 。以提高面积利用率和TSV(硅通孔)密度,专利价格、技术
从目标定位、业界猜测XBM与ZAM密切相关。一个可选的基础芯片 、再利用硅通孔(TSV)技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈。
根据英特尔的描述,被认为是HBM4的替代方案 ,更高效、前一段时间高通提出了HBC架构 ,
性能指标和商业化时间表来看 ,晶体管则移至BEOL(Back-End-Of-Line ,容量也更大 ,后端金属互连层) ,今年初英特尔宣布与力积电(PSMC)及软银子公司SAIMEMORY合作 ,包括一个封装基板 、相较于HBM,

虽然LPDDR更高效 、采用3D堆叠芯片解决方案。将计算与高速内存带宽结合,不过现在部分产品改用了LPDDR ,XBM的另外一个优势是可以支持多种封装选项,更具可扩展性的处理。
英特尔发布了一项关于其XBM内存的新专利 ,成本相比HBM4会更低。封装尺寸与HBM 4保持一致 。XBM看起来是英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案 ,以及一个堆叠的存储芯片。HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连,HBC提供了更快 、不过尚未进入商业化阶段。每个XBM芯片的容量在0.5GB-5GB之间,但是也存在带宽不足的问题。堆栈里的每个存储芯片均采用1T1C(1个晶体管和1个电容)结构的DRAM,意味着能在更小的形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量。详细